شركة CXMT الصينية تبدأ الإنتاج الضخم لجيل جديد من شرائح الذاكرة بتقنية 11.95 نانومتر

أعلنت شركة ChangXin Memory Technologies (CXMT) الصينية، المتخصصة في تصنيع شرائح الذاكرة، دخول منصة التصنيع من الجيل الخامس مرحلة الإنتاج الضخم، في تطور تقني يهدف إلى زيادة سعة شرائح الذاكرة وتحسين كفاءة تصنيعها. وجاء الإعلان خلال مؤتمر التصنيع العالمي لعام 2026 في مدينة خفي الصينية.

ما الجديد في تقنية التصنيع؟

أوضحت الشركة أنها تمكنت من تقليل المسافة بين بعض البُنى الدقيقة المسؤولة عن تخزين البيانات داخل شريحة الذاكرة إلى 11.95 نانومتر، باستخدام تقنية تُعرف باسم الطباعة الرباعية (Quadruple Patterning). وتعتمد هذه التقنية على تكرار خطوات التصنيع لإنشاء أنماط دقيقة تسمح بوضع عدد أكبر من خلايا الذاكرة في مساحة أصغر.

ومن المهم التمييز بين هذا الرقم وبين تسمية عقدة التصنيع: 11.95 نانومتر هو قياس للمسافة بين بُنى محددة داخل الشريحة، وليس بالضرورة اسمًا لعقدة تصنيع كاملة.

شرائح LPDDR5X جديدة بسعة أعلى

كشفت CXMT عن منتجين جديدين من ذاكرة LPDDR5X، تبلغ سعة كل منهما 24 جيجابت، وأكدت دخولهما الإنتاج الضخم. ووفقًا للشركة، توفر الشريحتان سعة تخزين بيانات أعلى بنسبة 50% مقارنة بمنتجاتها السابقة المكافئة، مع تقديمهما في شكلين مختلفين من التغليف لتلبية احتياجات تصميم الهواتف والأجهزة المحمولة.

وذاكرة LPDDR5X هي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي منخفضة استهلاك الطاقة، وتُستخدم في الهواتف الذكية والأجهزة المحمولة لتشغيل التطبيقات ومعالجة البيانات مؤقتًا. وهي تختلف عن مساحة التخزين الدائمة التي تُحفظ فيها الصور والملفات.

كيف يؤثر التطور في صناعة الهواتف؟

قالت CXMT إن منصة الجيل الخامس تتيح إنتاج عدد إجمالي من قوالب الشرائح من رقاقة السيليكون الواحدة يزيد بنسبة 50% على الأقل مقارنة بمنصتها السابقة، وفق معيار المقارنة الذي استخدمته الشركة. وقد يساعد ذلك في رفع الطاقة الإنتاجية وخفض تكلفة التصنيع، لكن الرقم لا يمثل نسبة الشرائح السليمة بعد الاختبارات النهائية.

وقد يمنح دخول هذه الشرائح إلى الإنتاج الضخم مصنّعي الهواتف والأجهزة المحمولة مصدرًا إضافيًا للحصول على ذاكرة عالية السعة. أما أثرها الفعلي في أسعار الأجهزة وأدائها وعمر بطارياتها، فسيتضح بعد استخدامها في منتجات تجارية وإجراء اختبارات مستقلة.

أهمية الإعلان

تعمل CXMT على توسيع قدراتها في سوق ذاكرة DRAM الذي يضم شركات كبرى مثل سامسونج وSK Hynix وMicron. ويمثل إعلانها خطوة في تطوير صناعة الذاكرة الصينية، لكنه لا يكفي وحده لإثبات تفوق الشرائح الجديدة على منتجات المنافسين؛ إذ تتطلب المقارنة بيانات مستقلة عن الأداء واستهلاك الطاقة والعائد التصنيعي.

المصدر: وكالة Reuters، نقلًا عن إعلان شركة CXMT خلال مؤتمر التصنيع العالمي 2026.

المصدر: Reuters – إعلان CXMT دخول منصة الذاكرة الجديدة مرحلة الإنتاج الضخم.

تك MIND

explanation11.blogspot.com 

هنا النقل التكنولوجي والعقل البشري